SS32F-SS3200F肖特基二极管封装SMF电流2A规格说明书

SS32F-SS3200F肖特基二极管二极管正向电流：3A二极管丝印:SS32F SS33F SS34F SS35F SS36F SS38F SS310F SS3150F SS3200F二极管封装：SMF(点击这里了解二极管SMF封装与SMA封装的区别）极限参数和电气特性（以下参数为在环境温度25°C下的额定值，除非另有说明；60 Hz单相半波下的电阻或感应负载，电容负载电流减额20 %）

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产品概述Product overview

二极管正向电流：3A

二极管丝印:SS32F SS33F SS34F SS35F SS36F SS38F SS310F SS3150F SS3200F
二极管封装：SMF

SMF封装

(点击这里了解二极管SMF封装与SMA封装的区别）

极限参数和电气特性

（以下参数为在环境温度25°C下的额定值，除非另有说明；60 Hz单相半波下的电阻或感应负载，电容负载电流减额20 %）

Parameter 参数	符号	SS32F	SS33F	SS34F	SS35F	SS36F	SS38F	SS310F	SS315F	SS320F	单位
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage **反向峰值电压	VRRM	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maximum RMS voltage **交流有效值电压	VRMS	14	21	28	35	42	56	70	105	140	V
Maximum DC Blocking Voltage **直流反向电压	VDC	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maximum Average Forward Rectified Current at T = 125°C 125°C时**正向平均电流	IF(AV)	3									A
Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load 在额定负载上叠加8.3 ms单半正弦波的峰值正向浪涌电流	IFSM	80									A
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 2 A 2A时的**瞬时正向电压	IFSM	0.55			0.7		0.85			0.95	V
Maximum DC Reverse Current（T = 25°C） **直流反向电流（T =125°C）	IR	0.5							0.2		mA
Maximum DC Reverse Current（T = 25°C） **直流反向电流（T =125°C）	IR	20					10		2		mA
Typical Junction Capacitance 典型的结电容	Cj	500			300						pF
Typical Thermal Resistance 典型热阻	RθJA	55									°C/W
Operating junction temperature tange 运行温度范围	Tj	-50 ~ +125					-50 ~ +150				°C
Storage temperature range 储存温度范围	TSTG	-50 ~ +150									°C

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