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SS32F-SS3200F肖特基二极管封装SMF电流2A规格说明书

SS32F-SS3200F肖特基二极管二极管正向电流:3A二极管丝印:SS32F SS33F SS34F SS35F SS36F SS38F SS310F SS3150F SS3200F二极管封装:SMF(点击这里了解二极管SMF封装与SMA封装的区别)极限参数和电气特性(以下参数为在环境温度25°C下的额定值,除非另有说明;60 Hz单相半波下的电阻或感应负载,电容负载电流减额20 %)

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产品概述Product overview

二极管正向电流:3A

二极管丝印:SS32F SS33F SS34F SS35F SS36F SS38F SS310F SS3150F SS3200F
二极管封装:SMF

SMF封装

(点击这里了解二极管SMF封装与SMA封装的区别)

极限参数和电气特性

(以下参数为在环境温度25°C下的额定值,除非另有说明;60 Hz单相半波下的电阻或感应负载,电容负载电流减额20 %)

Parameter

参数
符号SS32FSS33FSS34FSS35FSS36FSS38FSS310FSS315FSS320F单位

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

**反向峰值电压

VRRM

203040506080100150200V

Maximum RMS voltage

**交流有效值电压
VRMS14212835425670105140V

Maximum DC Blocking Voltage

**直流反向电压
VDC203040506080100150200V

Maximum Average Forward Rectified Current at T = 125°C

125°C时**正向平均电流

IF(AV)3A

Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load

在额定负载上叠加8.3 ms单半正弦波的峰值正向浪涌电流

IFSM

80A

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 2 A

2A时的**瞬时正向电压

IFSM

0.550.70.850.95V

Maximum DC Reverse Current(T = 25°C)
**直流反向电流                     (T =125°C)

IR

0.5 0.2mA
20102

Typical Junction Capacitance

典型的结电容
Cj500300pF

Typical Thermal Resistance

典型热阻

RθJA

55

°C/W

Operating junction temperature tange

运行温度范围

Tj

-50 ~ +125

-50 ~ +150°C

Storage temperature range

储存温度范围

TSTG

-50 ~ +150°C

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