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MOSFET场效应管
AP3400MI进入美的供耐高电压30V耐大电流5.8A低内阻值
该AP3400MI采用先进的沟道技术NMOS管，提供优良的低内阻RDS（ON），低栅电荷和低至2.5V的栅电压操作。该设备适合作为一个集成电路使用电池保护或其他开关应用。一般特征大电流：VDS=30V ID=5.8A低内阻：RDS（开）<25mΩ@VGS=10V应用蓄电池保护负载开关不间断电源包装标记和订购信息产品型号封装丝印数量(PCS)AP3400M…
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AP2301AI**电压20V**电流3.3A-PMOS管SOT23丝印A1S
说明AP2301AI是一款**DS电流可达3A的PMOS管，**工作电压可达20V。AP2301AI采用先进的沟槽技术，提供优秀的导通电阻RDS（开），低门电荷和在门极电压低至2.5V的情况下运行，该设备适合用作电池保护或其他开关应用。特性VDS = -20V ID =-3.3ARDS(ON) < -80mΩ @ VGS=-4.5V应用领域电池保护负荷开关不…
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AP2302BI-2.3A低内阻NMOS管丝印A2SHB封装SOT23规格书
说明该AP2302BI采用先进的沟道技术，以提供良好的RDS（ON），低栅电荷和低至2.5V的栅电压操作。该设备适合作为一个集成电路使用电池保护或其他开关应用。一般特征VDS=20V ID=2.3ARDS（开）<56mΩ@VGS=4.5V应用领域电池保护负荷开关不间断电源3C数码小家电封装丝印包装封装：SOT23丝印：A2SHB每盘：3000PCS封装及订…
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15N10功率MOS管电压100V大电流10A封装TO252规格书资料
说明15N10功率MOS管采用先进的沟槽技术，提供出色的低内阻和低栅极电压。大PD值，TO252封装，它可广泛应用于负载开关。一般特征●VDS=100V，ID=15A RDS（开）<100mR@VGS=10VRDS（开）<120mR@VGS=4.5V应用领域●汽车应用●硬开关和高频电路●不间断电源●无刷电机●加湿器、雾化器**额定值（TA=25℃，除非另有…
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AP3401AI进入美的供应丝印A19T电压30V电流54.2A低内阻
说明芯天上代理的该AP3401AI采用先进的沟槽技术，以提供良好低导通内阻PMOS，这个设备是作为负载开关或PWM应用适合使用。一般特征导通电压VDS=-30V，导通电流可达-4.2A导通内阻<55mΩ@VGS=-10V导通内阻<75mΩ@VGS=-4.5V应用领域电池保护负载开关不间断电源数码电子封装及订购信息产品型号封装丝印Qty(PCS…
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