S8550足500mA芯天上PNP三极管丝印2TY封装SOT23资料

说明芯天上S8550三极管，丝印2TY，在40度环境温度下500mA持续工作，实际工作温度低于60度.极限参数（TA=25℃,特别说明除外）SymbolParameterValueUnitVCBOCollector-Base Voltage-40VVCEOCollector-Emitter Voltage-25VVEBOEmitter-Base Voltage-5VICCollector Current -Continuous-0.5APCCollector Power Dissipation0.3WT

在线咨询

全国热线

13728684209

产品概述Product overview

说明

芯天上S8550三极管，丝印2TY，在40度环境温度下500mA持续工作，实际工作温度低于60度.

极限参数（TA=25℃,特别说明除外）

Symbol	Parameter	Value	Unit
VCBO	Collector-Base Voltage	-40	V
VCEO	Collector-Emitter Voltage	-25	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
IC	Collector Current -Continuous	-0.5	A
PC	Collector Power Dissipation	0.3	W
Tj	Junction Temperature	150	℃
Tstg	Storage Temperature	-55-150	℃

电气参数（TA=25℃,特别说明除外）

Parameter	Symbol	Test conditions	Min	Max	Unit
Collector-base breakdown voltage	V(BR)CBO	IC = -100μA, IE=0	-40		V
Collector-emitter breakdown voltage	V(BR)CEO	IC =-1mA, IB=0	-25		V
Emitter-base breakdown voltage	V(BR)EBO	IE= -100μA, IC=0	-5		V
Collector cut-off current	ICBO	VCB= -40V, IE=0		-0.1	μA
Collector cut-off current	ICEO	VCE= -20V, IB=0		-0.1	μA
Emitter cut-off current	IEBO	VEB= -3V, IC=0		-0.1	μA
DC current gain	hFE(1)	VCE= -1V, IC= -50mA	120	400
DC current gain	hFE(2)	VCE= -1V, IC= -500mA	50
Collector-emitter saturation voltage	VCE(sat)	IC=-500mA, IB= -50mA		-0.6	V
Base-emitter saturation voltage	VBE(sat)	IC=-500mA, IB= -50mA		-1.2	V
Transition frequency	fT	VCE= -6V, IC= -20mA f=30MHz	150		MHz

热品推荐 / Hot product

: XT051F合封4054充电单片机

1. XT051F充电电流可以设置高达500mA,通过外部电阻设置，可以做边充电边加热功能。2. 可以设置多种充电显示状态：3. 可以设置多种工作状态4. 设置多种低电保护预警电压4.超低待机功耗

: CS3302两双节锂电池升压充电芯片规格说明书PDF下载

概述： CN3302是一款工作于2.7V到6.5V的PFM升压型双节锂电池充电控制集成电路。CN3302采用恒流和准恒压模式(Quasi-CVTM)对电池进行充电管理，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测电路和片外场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少，电路简单等优点。当接通输入电源后，CN3302进入充电状态，控制片

: 60V降压大功率LED恒流内置MOS恒流驱动芯片OC5502B规格说明书PDF下载

概述 OC5022B 是一款内置 60V 功率 MOS 高效率、高精度的开关降压型大功率 LED 恒流驱动芯片。 OC5022B 采用固定关断时间的峰值电流控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户要求而改变。 OC5022B 通过调节外置的电流采样电阻，能控制高亮度 LED 灯的驱动电流，使 LED 灯亮度达到预期恒定亮