AP2302AI进入美的供应大电流3.2A低内阻NMOS管丝印

说明AP2302AI采用先进的沟槽技术，低内阻，大电流，低门电荷和在门极电压低至2.5V的情况下运行。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。一般特征VDS=20V ID=3.2ARDS（开）<32mΩ@VGS=4.5V应用领域电池保护负载开关不间断电源手机、3C数码封装及订购信息产品型号封装丝印每盘数量PCSAP2302AISOT23LA2S

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产品概述Product overview

说明

AP2302AI采用先进的沟槽技术，低内阻，大电流，低门电荷和在门极电压低至2.5V的情况下运行。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。

一般特征

VDS=20V ID=3.2A

RDS（开）<32mΩ@VGS=4.5V

应用领域

电池保护

负载开关

不间断电源
手机、3C数码

封装及订购信息

产品型号	封装	丝印	每盘数量PCS
AP2302AI	SOT23L	A2SHB	3000

**额参数（TC=25℃，另有说明除外）

Symbol	Parameter	Rating	Units
VDS	Drain-Source Voltage	20	V
VGS	Gate-Source Voltage	±12	V
ID@TA=25℃	Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1	3.2	A
ID@TA=70℃	Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1	2.8	A
IDM	Pulsed Drain Current2	14.4	A
PD@TA=25℃	Total Power Dissipation3	1	W
TSTG	Storage Temperature Range	-55 to 150	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	-55 to 150	℃
RθJA	Thermal Resistance Junction-ambient 1	125	℃/W
RθJC	Thermal Resistance Junction-Case1	80	℃/W

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