AP3401AI进入美的供应丝印A19T电压30V电流54.2A低内阻

说明芯天上代理的该AP3401AI采用先进的沟槽技术，以提供良好低导通内阻PMOS，这个设备是作为负载开关或PWM应用适合使用。一般特征导通电压VDS=-30V，导通电流可达-4.2A导通内阻<55mΩ@VGS=-10V导通内阻<75mΩ@VGS=-4.5V应用领域电池保护负载开关不间断电源数码电子封装及订购信息产品型号封装丝印Qty(PCS

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产品概述Product overview

说明

芯天上代理的该AP3401AI采用先进的沟槽技术，以提供良好低导通内阻PMOS，这个设备是作为负载开关或PWM应用适合使用。

一般特征

导通电压VDS=-30V，导通电流可达-4.2A

导通内阻<55mΩ@VGS=-10V
导通内阻<75mΩ@VGS=-4.5V

应用领域

电池保护
负载开关

不间断电源
数码电子

封装及订购信息

产品型号	封装	丝印	Qty(PCS)
AP3401AI	SOT-23	A19T	3000

****额定值（TA=25℃，除非另有说明）

Parameter	Symbol	Limit	Unit
Drain-Source Voltage	VDS	-30	V
Gate-Source Voltage	VGS	±12	V
Drain Current-Continuous	ID	-4.2	A
Drain Current-Pulsed (Note 1)	IDM	-30	A
Maximum Power Dissipation	PD	1.2	W
Operating Junction and Storage Temperature Range	TJ,TSTG	-55 To 150	℃
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)	RθJA	104	℃/W

电气参数（TA=25℃，除非另有说明）

Parameter	Symbol	Condition	Min	Typ	Max	Unit
Drain-Source Breakdown Voltage	BVDSS	VGS=0V ID=-250μA	-30		-	V
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=-24V,VGS=0V	-	-	-1	μA
Gate-Body Leakage Current	IGSS	VGS=±10V,VDS=0V	-	-	±100	nA
Gate Threshold Voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=-250μA	-0.7	-1	-1.3	V
Drain-Source On-State Resistance	RDS(ON)	VGS=-10V, ID=-4.2A	-	48	55	mΩ
		VGS=-4.5V, ID=-4A	-	56	75	mΩ
		VGS=-2.5V, ID=-1A		72	90	mΩ
Forward Transconductance	gFS	VDS=-5V,ID=-4.2A	-	10	-	S
Input Capacitance	Clss	VDS=-15V,VGS=0V, F=1.0MHz	-	880	-	PF
Output Capacitance	Coss		-	105	-	PF
Reverse Transfer Capacitance	Crss		-	65	-	PF
Turn-on Delay Time	td(on)	VDD=-15V,ID=-4.2A VGS=- 10V,RGEN=6Ω	-	7	-	nS
Turn-on Rise Time	tr		-	3	-	nS
Turn-Off Delay Time	td(off)		-	30	-	nS
Turn-Off Fall Time	tf		-	12	-	nS
Total Gate Charge	Qg	VDS=-15V,ID=-4.2A,VGS=- 4.5V	-	8.5	-	nC
Gate-Source Charge	Qgs		-	1.8	-	nC
Gate-Drain Charge	Qgd		-	2.7	-	nC
Drain-Source Diode Characteristics
Diode Forward Voltage (Note 3)	VSD	VGS=0V,IS=-4.2A	-	-	-1.2	V

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