AP2302BI-2.3A低内阻NMOS管丝印A2SHB封装SOT23规格书

说明该AP2302BI采用先进的沟道技术，以提供良好的RDS（ON），低栅电荷和低至2.5V的栅电压操作。该设备适合作为一个集成电路使用电池保护或其他开关应用。一般特征VDS=20V ID=2.3ARDS（开）<56mΩ@VGS=4.5V应用领域电池保护负荷开关不间断电源3C数码小家电封装丝印包装封装：SOT23丝印：A2SHB每盘：3000PCS封装及订

在线咨询

全国热线

13728684209

产品概述Product overview

说明

该AP2302BI采用先进的沟道技术，以提供良好的RDS（ON），低栅电荷和低至2.5V的栅电压操作。该设备适合作为一个集成电路使用电池保护或其他开关应用。

一般特征

VDS=20V ID=2.3A

RDS（开）<56mΩ@VGS=4.5V

应用领域

电池保护

负荷开关

不间断电源

3C数码
小家电

封装丝印包装

封装：SOT23
丝印：A2SHB
每盘：3000PCS

封装及订购信息

Product ID	Pack	Marking	Qty(PCS)
AP2302AI	SOT23L	A2SHB	3000

****额定值（TC=25℃，除非另有说明）

Symbol	Parameter	Rating	Units
VDS	Drain-Source Voltage	20	V
VGS	Gate-Source Voltage	±12	V
ID@TA=25℃	Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1	3.2	A
ID@TA=70℃	Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1	2.8	A
IDM	Pulsed Drain Current2	14.4	A
PD@TA=25℃	Total Power Dissipation3	1	W
TSTG	Storage Temperature Range	-55 to 150	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	-55 to 150	℃
RθJA	Thermal Resistance Junction-ambient 1	125	℃/W
RθJC	Thermal Resistance Junction-Case1	80	℃/W

电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）

Symbol	Parameter	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	20	---	---	V
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V , ID=3A	---	23	32	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=2.5V , ID=2A	---	29	35	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , ID =250uA	0.4	0.7	1.2	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±12V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V , ID=3A	---	10.5	---	S
Qg	Total Gate Charge (4.5V)	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=3A	---	4.6	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	0.7	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	1.5	---
Td(on)	Turn-On Delay Time	VDD=10V , VGS=4.5V , RG=3.3Ω ID=3A	---	1.6	---	ns
Tr	Rise Time		---	42	---
Td(off)	Turn-Off Delay Time		---	14	---
Tf	Fall Time		---	7	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	310	---	pF
Coss	Output Capacitance		---	49	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	35	---
IS	Continuous Source Current1,4	VG=VD=0V , Force Current	---	---	3.6	A
VSD	Diode Forward Voltage2	VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃	---	---	1.2	V

热品推荐 / Hot product

: XT051F合封4054充电单片机

1. XT051F充电电流可以设置高达500mA,通过外部电阻设置，可以做边充电边加热功能。2. 可以设置多种充电显示状态：3. 可以设置多种工作状态4. 设置多种低电保护预警电压4.超低待机功耗

: CS3302两双节锂电池升压充电芯片规格说明书PDF下载

概述： CN3302是一款工作于2.7V到6.5V的PFM升压型双节锂电池充电控制集成电路。CN3302采用恒流和准恒压模式(Quasi-CVTM)对电池进行充电管理，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测电路和片外场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少，电路简单等优点。当接通输入电源后，CN3302进入充电状态，控制片

: 60V降压大功率LED恒流内置MOS恒流驱动芯片OC5502B规格说明书PDF下载

概述 OC5022B 是一款内置 60V 功率 MOS 高效率、高精度的开关降压型大功率 LED 恒流驱动芯片。 OC5022B 采用固定关断时间的峰值电流控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户要求而改变。 OC5022B 通过调节外置的电流采样电阻，能控制高亮度 LED 灯的驱动电流，使 LED 灯亮度达到预期恒定亮