双SS8050足1.5A芯天上大电流NPN三极管丝印Y1封装S

说明芯天上SS8050三极管采用大晶圆封装，与普通国产小芯片对比测试，耐电流能力突出。在室温（25°C Ib=90mA VDD=5V)下，其它品牌的普通国产小芯片经过测试持续1A电流老化测试时温度急剧上升，30分钟内即会烧坏。而芯天上的SS8050丝印Y1三极管表现优秀，在持续1A电流老化

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产品概述Product overview

说明

芯天上SS8050三极管采用大晶圆封装，与普通国产小芯片对比测试，耐电流能力突出。在室温（25°C Ib=90mA VDD=5V )下，其它品牌的普通国产小芯片经过测试持续1A电流老化测试时温度急剧上升，30分钟内即会烧坏。而芯天上的SS8050 丝印Y1三极管表现优秀，在持续1A电流老化测试时三极管温度仅60度，在持续1.5A大电流老化4小后，三极管温度80度。

特性

**电流可达1.5A
**温度可达150°C

极限条件

Symbol	Parameter	Value	Unit
Vcbo	Collector-Base Voltage	40	V
Vceo	Collector-Emitter Voltage	25	V
Vebo	Emitter-Base Voltage	5	V
lc	Collector Current	1.5	A
Pc	Collector Power Dissipation	300	mW
Rqja	Thermal Resistance From Junction Io Ambient	417	°C7W
T,	Junction Temperature	150	°C
Tslg	Storage Temperature	-55〜+150	°C

电气参数

Parameter	Symbdpp	Test conditions	Min	Typ	Max	Unit
Collector*base breakdown voltage	V(BR)CBO	lc= 100pA, lE=0	40			V
Collector-emitter breakdown voltage	V(BR)CEO	lc= 0.1mA, lB=0	25			V
Emitter*base breakdown voltage	V(BR)EBO	lE=100pA, lc=0	5			V
Collector cut-off current	IcBO	Vcb=40V, Ie=0			0.1	ma
Collector cut-off current	IcEO	Vce=20V, Ie=0			0.1	卩A
Emitter cut-off current	Iebo	Veb= 5V, lc=0			0.1	卩A
DC current gain	hFE⑴	Vce=1V, lc= 100mA	120		400
DC current gain	hFE(2)	Vce=1V, lc= 800mA	40
Collector-emitter saturation voltage	VcE(sat)	lc=800mA, Ib= 80mA			0.5	V
Base-emitter saturation voltage	VbE(5)	lc=800mA, Ib= 80mA			1.2	V
Transition frequency	fT	Vce=10V, lc= 50mA f=30MHz	100			MHz

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