S8050足500mA芯天上NPN三极管丝印J3Y封装SOT23资料

说明芯天上S8050三极管，丝印J3Y。此三极管集电极电流可达到足500mA,温升表现优异。**额定值（TA=25℃，除非另有说明）SymbolParameterValueUnitsVCBOCollector-Base Voltage40VVCEOCollector-Emitter Voltage25VVEBOEmitter-Base Voltage5VICCollector Current -Continuous0.5APCCollector Dissipation0.3WTjJunct

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产品概述Product overview

说明

芯天上S8050三极管，丝印J3Y。此三极管集电极电流可达到足500mA,温升表现优异。

**额定值（TA=25℃，除非另有说明）

Symbol	Parameter	Value	Units
VCBO	Collector-Base Voltage	40	V
VCEO	Collector-Emitter Voltage	25	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	5	V
IC	Collector Current -Continuous	0.5	A
PC	Collector Dissipation	0.3	W
Tj	Junction Temperature	150	℃
Tstg	Storage Temperature	-55-150	℃

电气参数（TA=25℃，除非另有说明）

Parameter	Symbol	Test conditions	MIN	TYP	MAX	UNIT
Collector-base breakdown voltage	V(BR)CBO	IC= 100μA, IE=0	40			V
Collector-emitter breakdown voltage	V(BR)CEO	IC=1mA, IB=0	25			V
Emitter-base breakdown voltage	V(BR)EBO	IE=100μA, IC=0	5			V
Collector cut-off current	ICBO	VCB=40 V , IE=0			0.1	μA
Collector cut-off current	ICEO	VCB=20V , IE=0			0.1	μA
Emitter cut-off current	IEBO	VEB= 5V , IC=0			0.1	μA
DC current gain	HFE(1)	VCE=1V, IC= 50mA	120		400
DC current gain	HFE(2)	VCE=1V, IC= 500mA	50
Collector-emitter saturation voltage	VCE(sat)	IC=500 mA, IB= 50mA			0.6	V
Base-emitter saturation voltage	VBE(sat)	IC=500 mA, IB= 50mA			1.2	V
Transition frequency	fT	VCE=6V, IC= 20mA f=30MHz	150			MHz

hFE分类

Rank	L	H	J
Range	120-200	200-350	300-400

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