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MOSFET场效应管
MOSFET场效应管
AP2302AI进入美的供应大电流3.2A低内阻NMOS管丝印
说明AP2302AI采用先进的沟槽技术，低内阻，大电流，低门电荷和在门极电压低至2.5V的情况下运行。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。一般特征VDS=20V ID=3.2ARDS（开）<32mΩ@VGS=4.5V应用领域电池保护负载开关不间断电源手机、3C数码封装及订购信息产品型号封装丝印每盘数量PCSAP2302AISOT23LA2S…
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AP2301BI进入美的供应**电压20V**电流2.3A-PMO
说明AP2301BI是一款**DS电流可达2.3A的PMOS管，**工作电压可达20V。AP2301BI采用先进的沟槽技术，提供优秀的导通电阻RDS（开），低门电荷和在门极电压低至2.5V的情况下运行，该设备适合用作电池保护或其他开关应用。特性VDS = -20V ID =-2.3ARDS(ON) < -165mΩ @ VGS=-4.5V应用领域电池保护负荷开…
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8205A双N沟道MOS大电流6A封装TSSOP8参数规格书PDF下载
特征VDS=20V，ID=6ARDS（开）<30mΩ@VGS=2.5VRDS（开）<22mΩ@VGS=4.5V高功率和电流处理能力获得无铅产品表面安装组件脚位图**额定值（TA=25℃，除非另有说明）Symbol（符号）Parameter（参数名称）Value（额定值）Units（单位）VDSDrain-Source voltage20VVGSGate-Source voltage±12VIDDrain current…
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BSS138封装SOT23快速低漏电流NMOS管资料规格书下载
BSS138——50V漏源电压NMOS场效应管特征低导通内阻低门限电压快速开关低输入输出漏电流极限值（Ta=25℃，除非另有说明）参数符号值单位Drain-Source VoltageVDS50VContinuous Gate-Source VoltageVGSS±12Continuous Drain CurrentID0.22APower DissipationPD0.35WThermal Resistance from Junction to AmbientRθJA3…
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