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15N10功率MOS管电压100V大电流10A封装TO252规格书资料
说明15N10功率MOS管采用先进的沟槽技术，提供出色的低内阻和低栅极电压。大PD值，TO252封装，它可广泛应用于负载开关。一般特征●VDS=100V，ID=15A RDS（开）<100mR@VGS=10VRDS（开）<120mR@VGS=4.5V应用领域●汽车应用●硬开关和高频电路●不间断电源●无刷电机●加湿器、雾化器**额定值（TA=25℃，除非另有…
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AP3401AI进入美的供应丝印A19T电压30V电流54.2A低内阻
说明芯天上代理的该AP3401AI采用先进的沟槽技术，以提供良好低导通内阻PMOS，这个设备是作为负载开关或PWM应用适合使用。一般特征导通电压VDS=-30V，导通电流可达-4.2A导通内阻<55mΩ@VGS=-10V导通内阻<75mΩ@VGS=-4.5V应用领域电池保护负载开关不间断电源数码电子封装及订购信息产品型号封装丝印Qty(PCS…
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AP2302AI进入美的供应大电流3.2A低内阻NMOS管丝印
说明AP2302AI采用先进的沟槽技术，低内阻，大电流，低门电荷和在门极电压低至2.5V的情况下运行。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。一般特征VDS=20V ID=3.2ARDS（开）<32mΩ@VGS=4.5V应用领域电池保护负载开关不间断电源手机、3C数码封装及订购信息产品型号封装丝印每盘数量PCSAP2302AISOT23LA2S…
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AP2301BI进入美的供应**电压20V**电流2.3A-PMO
说明AP2301BI是一款**DS电流可达2.3A的PMOS管，**工作电压可达20V。AP2301BI采用先进的沟槽技术，提供优秀的导通电阻RDS（开），低门电荷和在门极电压低至2.5V的情况下运行，该设备适合用作电池保护或其他开关应用。特性VDS = -20V ID =-2.3ARDS(ON) < -165mΩ @ VGS=-4.5V应用领域电池保护负荷开…
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8205A双N沟道MOS大电流6A封装TSSOP8参数规格书PDF下载
特征VDS=20V，ID=6ARDS（开）<30mΩ@VGS=2.5VRDS（开）<22mΩ@VGS=4.5V高功率和电流处理能力获得无铅产品表面安装组件脚位图**额定值（TA=25℃，除非另有说明）Symbol（符号）Parameter（参数名称）Value（额定值）Units（单位）VDSDrain-Source voltage20VVGSGate-Source voltage±12VIDDrain current…
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